三氧化二銦（In?O?）加工工藝的核心在于控制材料純度和微觀結構，這對透明導電薄膜等應用至關重要。工業(yè)上主要采用溶膠-凝膠法和化學氣相沉積法，其中溶膠-凝膠法通過金屬醇鹽水解（如異丙醇銦）形成溶膠，經干燥燒結后獲得納米級粉末。需要特別注意煅燒溫度（通常600-800℃）對晶粒尺寸的影響，過高的溫度會導致顆粒團聚。

化學氣相沉積則更適合大規(guī)模生產，將銦源（如三甲基銦）與氧化劑在反應室中沉積。該方法的關鍵參數包括載氣流量（氬氣50-100sccm）和基板溫度（300-500℃），這些因素直接影響薄膜的電阻率（可低至10??Ω·cm）和透光率（＞85%）。近年來還發(fā)展了磁控濺射工藝，通過高能粒子轟擊銦靶材，在氧氣氛圍下形成致密薄膜。

后處理環(huán)節(jié)中，退火工藝對性能提升尤為明顯。在氮氫混合氣氛（H?比例5-10%）中處理2-4小時，能顯著降低氧空位濃度，使得載流子遷移率達到30cm2/V·s以上。同時要注意控制濕度（RH＜30%），因為三氧化二銦易吸濕導致電性能劣化。對于摻雜改性（如摻錫制成ITO），還需精確調控摻雜劑濃度（Sn/In原子比約1:9）。

最新研究聚焦于低溫溶液法加工，采用乙二醇甲醚等溶劑體系，配合超聲波輔助分散（功率200-400W），能在150℃以下制備出性能接近真空工藝的薄膜。這種工藝特別適合柔性基底，其方阻可控制在200-500Ω/□范圍內，同時保持90%以上的可見光透過率，為柔性顯示器件提供了新思路。